磁阻式随机存储器MRAM基本原理是什么

磁阻式随机存储器（MRAM）是一种新型的非易失性存储器，它采用磁阻效应（MR）技术将信息存储在一个由磁阻元件组成的磁存储单元中。MRAM 的原理是利用磁阻效应（MR）来模拟二进制存储单元，即 0 和 1，通过改变磁阻元件的磁化方向来实现信息的存取。MRAM 的磁阻元件的磁化方向可以通过在其上施加外部磁场来改变，因此可以通过改变磁阻元件的磁化方向来存储信息。MRAM 的特点是存取速度快、功耗低、可靠性高，因此被广泛应用于各种电子设备中。