磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型的非易失性存储器,它采用磁阻效应(MR)技术将信息存储在一个由磁阻元件组成的磁存储单元中。MRAM的原理是利用磁阻效应(MR)来模拟二进制存储单元,即0和1,通过改变磁阻元件的磁化方向来实现信息的存取。MRAM的磁阻元件的磁化方向可以通过在其上施加外部磁场来改变,因此可以通过改变磁阻元件的磁化方向来存储信息。MRAM的特点是存取速度快、功耗低、可靠性高,因此被广泛应用于各种电子设备中。